多晶硅溅射靶材

多晶硅是一种重要的溅射靶材材料，使用磁控溅射方法制备SiO2等薄膜层，可以使基体材料具备更好的光学、介电及抗蚀性能，被广泛应用到触摸屏、光学等行业中。本公司采用美国GT-Solar公司的多晶硅铸锭炉的铸造长晶工艺可制备出的硅靶材材料，具有纯度高、导电性优异、晶粒均匀等特点，硅材料最大尺寸可达1m×1m。结合本公司先进的金刚石带锯、金刚线切割、多线切割等先进加工设备及工艺，可制作出多种不同尺寸的靶材产品。

铸造长晶工艺，是通过精确控制铸锭炉热场中的加热器温度、隔热材料的散热量，来实现液态硅从底部开始，逐渐向顶部的定向凝固，凝固长晶速度为0.8~1.2cm/h。同时在定向凝固过程中，可以实现金属元素在硅材料中的分凝效应，实现大多数金属元素的提纯，并形成了均匀的多晶硅晶粒组织。

铸造多晶硅在生产过程中还需进行有意掺杂，其目的是改变硅熔体中受主杂质的浓度。行业内P型铸造多晶硅的主要掺杂剂是硅硼母合金，其中硼含量在0.025%左右。掺杂量由硅片的目标电阻率决定，电阻率最优值为0.02 ~0.05 Ω•cm，对应硼的浓度约为2×1014cm-3。但是，硼在硅中的分凝系数为0.8，会在定向凝固过程中表现出一定的分凝效应，即硼元素在铸锭竖直方向上呈梯度分布，并导致电阻率由铸锭底部到顶部逐渐减小。

本公司通过原材料的筛选、长晶工艺的精确控制及退火工艺，实现多晶硅靶材原料的高纯度、稳定电阻率、均匀晶粒，并配套完善的检验检测手段以及加工工艺的最优化，将多晶硅溅射靶材材料的品质稳定性控制到最佳，已获得了业内客户的广泛认可。

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